Особенности получения слаболегированных слоев алюминия-галлия арсенида для фотоприемных устройств

5 / 6

Особенности получения слаболегированных слоев алюминия-галлия арсенида…
Инженерный журнал: наука и инновации # 6·2017 5
ЛИТЕРАТУРА
[1] Зи С.M. Физика полупроводниковых приборов. В 2 кн. Кн. 1. Пер. с англ.
2-е изд. перераб. и доп. Москва, Мир, 1984.
[2] Grym J., Prochazkova O. Role of rare-earth elements in the technology of
III–V semiconductors prepared by liquid phase epitaxy. Semiconductor
Technologies, InTech, 2010, pp. 297–320.
[3] Беспалов В.А., Елкин А.Г., Журкин Б.Г. и др. Механизм влияния
редкоземельных элементов на свойства слоев GaAs, выращенных жидко-
фазной эпитаксией. Краткие сообщения по физике, 1987, № 9, с. 32–34.
[4] Курковский С.И., Сыворотка Н.Я. Свойства эпитаксиальных слоев GaAs,
легированных редкоземельными элементами. Технология и конструи-
рование в электронной аппаратуре, 2007, № 2, с. 47–51.
[5] Мастеров В.Ф., Захаренков Л.Ф. Редкоземельные элементы в А3В5. Физика
и техника полупроводников, 1990, т. 24, с. 610–629.
Статья поступила в редакцию 31.01.2017
Ссылку на эту статью просим оформлять следующим образом:
Стрельченко С.С., Шумакин Н.И. Особенности получения слаболегированных
слоев алюминия-галлия арсенида для фотоприемных устройств. Инженерный
журнал: наука и инновации, 2017, вып. 6.
Стрельченко Станислав Сергеевич родился в 1940 г., окончил Харьковский гос-
ударственный университет в 1963 г. Д-р техн. наук, действительный член Акаде-
мии инженерных наук и Академии космонавтики, профессор кафедры «Материа-
ловедение» Калужского филиала МГТУ им. Н.Э. Баумана. Автор более 250 науч-
ных работ в области роста эпитаксиальных структур A3B5. Область научных
интересов: эпитаксиальные пленки и структуры А3B5 и приборы на их основе.
e-mail:
Шумакин Никита Игоревич родился в 1994 г., окончил Калужский филиал
МГТУ им. Н.Э. Баумана в 2016 г. Магистрант кафедры «Материаловедение» Ка-
лужского филиала МГТУ им. Н.Э. Баумана. Область научных интересов — эпитак-
сиальные структуры. e-mail: