4 / 6
С.С. Стрельченко, Н.И. Шумакин
4
Инженерный журнал: наука и инновации
# 6·2017
Рис. 2.
Поверхность гетероструктуры, легированной скандием
с концентрацией 0,01 % (ат.)
Рис. 3.
Поверхность гетероструктуры, легированной иттербием
с концентрации 0,04 % (ат.)
Выводы.
Проведенные эксперименты по выращиванию слоев
Al
0,12
Ga
0,88
As, которые в дальнейшем можно будет применять при
производстве селективных фотодиодов, показали эффективность ис-
пользования легирования РЗЭ для получения требуемых концентра-
ций носителей заряда. Была определена, в частности, эффективность
применения РЗЭ для создания слаболегированных слоев AlGaAs.
Также были продемонстрированы преимущества легирования слоев
иттербием.