Previous Page  9 / 13 Next Page
Information
Show Menu
Previous Page 9 / 13 Next Page
Page Background

Об особенностях работы составного высокотемпературного коллектора…

Инженерный журнал: наука и инновации

# 7

2016

9

даться обратный процесс. Компенсация повышенного вследствие

низкой работы выхода эмиссионного тока происходит за счет «поля

пятен», а не приращения приколлекторного скачка потенциала. Дей-

ствительно, в преобразователях с составным коллектором выходное

напряжение повышается по сравнению с выходным напряжением

преобразователя с однородным коллектором и такой же работой вы-

хода, при этом наибольшее приращение, равное 0,15 В, соответствует

преобразователю с работой выхода

1

2,82

 

k

эВ и

2

2, 22

 

k

эВ.

Исходя из полученного результата, можно заключить, что при

рассмотрении граничных условий в случае составного коллектора

над областями с пониженной работой выхода должна наблюдаться

меньшая концентрация плазмы, а значит, диффузия плазмы в эти об-

ласти. Отсюда можно сделать предположение, что области над по-

верхностью с пониженной работой выхода в большей степени будут

отвечать за перенос зарядов, в то время как области над поверхно-

стью с повышенной работой выхода — за снабжение этих токопере-

носящих участков ионами. В совокупности с пониженным давлением

паров цезия и высокой температурой эмиттера все это может приво-

дить к некоторому снижению потерь напряжения на дугах и, как

следствие, к повышению полезного напряжения.

«Поле пятен» на поверхности составного коллектора существен-

но зависит не только от разности значений работы выхода различных

областей поверхности, но и от размеров этих областей. С одной сто-

роны, при записи граничных условий в виде (7)–(18) предполагается,

что размеры области должны быть достаточно большими, для того

чтобы пятна не локализовались на длине экранирования плазмы [6]

и каждое пятно можно было рассматривать независимо. С другой сто-

роны, в (6) требуется, чтобы размеры пятен были сравнимы с расстоя-

нием, на котором параметры плазмы заметно изменяются. В совокуп-

ности с распределением потенциала и параметров плазмы, которыми

определяются влияние «поля пятен» и целесообразная разность значе-

ний работы выхода, эти условия выражают требования к геометриче-

скому профилированию и подбору оптимальных материалов при со-

здании составного коллектора.

В [7] представлены результаты экспериментального исследова-

ния ТЭП с различными конфигурациями коллектора. В частности,

рассмотрены две разновидности так называемого желобкового кол-

лектора с искусственно созданной неравномерностью по работе вы-

хода на его поверхности. Коллектор представляет собой структуру

с механически полученными желобками на поверхности, в одном

случае работа выхода поверхности торцов была меньше, чем работа

выхода поверхности впадин, в другом случае — наоборот. Отмечено,

что более высокие характеристики имел преобразователь, в котором