Установка измерения поглощенной дозы радиационного излучения на основе транзисторных сенсоров со структурой металл — диэлектрик — полупроводник
Опубликовано: 24.03.2014
Авторы: Андреев В.В., Столяров А.А., Соловьев И.В.
Опубликовано в выпуске: #1(25)/2014
DOI: 10.18698/2308-6033-2014-1-1197
Раздел: Приборостроение
Представлено описание установки измерения поглощенной дозы радиационного излучения. Показана возможность использования полевых транзисторов со структурой металл — диэлектрик — полупроводник в качестве компактных сенсоров радиации. Приведено описание метода определения поглощенной дозы с использованием сдвига порогового напряжения в результате облучения. Рассмотрены методы повышения температурной стабильности измеряемых характеристик.
Литература
[1] Перевертайло В.Л. Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП–транзисторов. Технология конструирования в электронной аппаратуре, 2010, №5, с. 22–29
[2] Андреев В.В., Бондаренко Г.Г., Лычагин А.А., Столяров А.А., Ульяненко С.Е. Радиационная ионизация в структурах металл — диэлектрик — полупроводник в режиме сильнополевой инжекции электронов. Физика и химия обработки материалов, 2006, № 6, с. 19-23
[3] Andreev V.V., Bondarenko G.G., Mihal’kov A.M., Stolyarov A.A., Solov’ev I.V. Improvement of Injection and Radiation Stability of Nanosize Dielectric Films of MOS Devices. Inorganic Materials: Applied Research, 2011, vol. 2, no. 5, pp. 425-427
[4] Андреев В.В., Столяров А.А., Васютин М.С., Михальков А.М. Активный чувствительный элемент сенсора радиационных излучений на основе МДП-структур с наноразмерными диэлектрическими слоями. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. Приборостроение, 2010, с. 118-127
[5] Holmes-Siedle A. The Space-Charge Dosimeter: general principles of a new method of radiation detection. Nucl. Inst. AndMeth, 1974, vol.121, pp. 169-179
[6] Holmes-Siedle A., Adams L. Handbook of Radiation Effects. Oxford, Oxford University Press, 2002, 644 p.
[7] Тице У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника. Москва, ДМК Пресс, 2008, 832 с.
[8] Mitchell J.P. Radiation-Induced Space-Charge Buildup in MOS Structures. IEEE Transactions on Electron Devices, 1967, no. 11, pp. 764-774