Компьютерное моделирование качества высокотемпературных сверхпроводников
Опубликовано: 04.11.2012
Авторы: Донцова Е.С.
Опубликовано в выпуске: #5(5)/2012
DOI: 10.18698/2308-6033-2012-5-195
Раздел: Машиностроение | Рубрика: Криогенная техника
Рассмотрены подходы к моделированию высокотемпературных сверхпроводников с учетом их дефектов. Проведено компьютерное моделирование качества сверхпроводящих свойств в целях получения данных о допустимых параметрах распределения кристаллических дефектов, при которых гарантируется критический ток. Полученные данные можно использовать для управления процессом получения сверхпроводника с гарантированным качеством его сверхпроводящих свойств.
Литература
[1] Гинзбург В.Л. О термоэлектрических эффектах в сверхпроводящем состоянии // УФН. – 1991. – Т. 131. № 2
[2] Тарасевич Ю.Ю. Перколяция: теория, приложения, алгоритмы: Учеб. пособие. – М.: Едиториал УРСС, 2002. – 112 с.
[3] Головашкин А.И. ВТСП — необычные объекты физики твердого тела // Препринт. Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН. – 2005. – 32 с.
[4] Кузнецов М.В., Морозов Ю.Г. Применение самораспространяющегося высокотемпературного синтеза для производства ВТСП. – М.: Изд-во Института структурной макрокинетики и проблем материаловедения РАН