6
К.А. Андреев, А.И. Власов, Э.Н. Камышная, Ю.Н. Тиняков, А.В. Лавров
Межсоединения организованны при помощи TSV технологии. Пе-
реходные отверстия сформированы в промежуточном кристалле
5
. Так-
же на нем располагаются необходимые для работы схемы пассивные
компоненты (диффузионные резисторы, конденсаторы) и выполнена
разводка микроконтроллера и чувствительного элемента.
Компоновка блока управления датчиком давления на основе
генетического алгоритма.
В [3, 4] предложено решение задачи ком-
поновки элементов по отдельным платам и микроплатам на основе ин-
Рис. 3.
Вариант компоновки системы датчика давления
Рис. 4.
Вариант конструкции датчика давления с использованием
технологии трехмерной интеграции
