5
Модель образования дефектных центров при облучении арсенида галлия
оптимальных величин температуры и времени выдержки сравнительно
малы (
T
a
= ±10 °C,
t
= ±5 с). Это значит, что оптимальные режимы при
быстром термическом отжиге полуизолирующего арсенида галлия более
чувствительны к параметрам исходного материала и дозе облучения, чем
при длительном отжиге. Результаты свидетельствуют о том, что при низких
уровнях облучения арсенида галлия быстрый термический отжиг приводит
к повышению его электрофизических параметров.
Выводы.
Определено, что при температуре отжига арсенида галлия
более 900 °C происходит трансформация дефектов в термостабильные
дефектные центры, обладающие донорными свойствами. Природа этих
центров определяется, по-видимому, взаимодействием искусственных
радиационных дефектов с примесями и равновесными дефектами кри-
сталла. Показано, что облучение нейтронами при температуре выше
комнатной можно использовать не только для изучения природы и за-
кономерностей дефектообразования, но и как способ направленного
изменения свойств кристаллов.
ЛИТЕРАТУРА
[1] Болтакс Б.И., ред.
Точечные дефекты в твердых телах. Новости физики
твердого тела
. Москва, Мир, 1979, вып. 9, 379 с.
[2] Аствацатурьян Е.Р, Громов Д.В., Ломако В.М.
Радиационные эффекты в
приборах и интегральных схемах на арсениде галлия
. Минск, Изд-во «Уни-
верситетское», 1992, 218 с.
[3] Глориозова Р.М., Колесник Л.И., Колин Н.Г., Освенский В.Б. Структурные
дефекты в арсениде индия.
ФТП
, 1988, т. 22, вып. 3, с. 507–509.
[4] Колин Н.Г., Куликова Л.В., Освенский В.Б. Дефекты в полупроводниковом
арсениде галлия.
ФТП
, 1988, т. 26, вып. 6, с. 1025–1030.
[5] Брудный В.Н., Будницкий Д.Л., Малисова Е.В. Радиационно-модифициро-
ванный арсенид галлия.
Изв. вузов, сер. Физика
, 1992, № 10, с. 61–66.
[6] Зайцева Т.Н., Колин Н.Г., Кухто О.Л., Нарочный К.Н., Нойфех А.И. Дефек-
тообразование при отжиге монокристаллов арсенида галлия.
ФТП
, 1994,
т. 28, вып. 11, с. 2041–2044.
[7] Брудный В.Н., Колин Н.Г., Меркурисов Д.И.., Новиков В.А. Образование
дефектов в эпитаксиальных слоях.
ФТП
, 2001, т. 35, вып. 6, с. 739–744.
[8] Брудный В.Н., Колин Н.Г., Потапов А.И. Радиационное модифицирование
арсенида галлия.
ФТП
, 2003, т. 37, вып. 4, с. 408–413.
[9] Айзенштат Г.В., Ардышев В.М., Колин Н.Г. Меркурисов Д.И. Ядерное ле-
гирование полупроводников.
«Электронная промышленность». Наука, Тех-
нология
, 2002, вып. 2/3, с. 69–72.
[10] Boyko V.M., Bublik V.T., Dabiran A. et al. Neutron irradiation Effect in p-GaN.
J. Vac. Sci. Technol
., 2006, B24(5), pp. 2256–2261.
Статья поступила в редакцию 16.07.2013
Ссылку на эту статью просим оформлять следующим образом:
Косушкин В.Г., Горбунов А.К. Модель образования термостабильных дефектных
центров при облучении арсенида галлия нейтронами.
Инженерный журнал: наука и
инновации
, 2013, вып. 6. URL:
