4
В.Г. Косушкин, А.К. Горбунов
для образцов I группы и от длительности выдержки
(
t
) при
T
a
= 810 °C
для образцов II группы представлены на рис. 1 и 2 соответственно.
Полученные результаты позволяют предположить, что при темпе-
ратурах ниже 830 °C происходил отжиг радиационных дефектов и элек-
трическая активация доноров (германия и селена), сопровождаемые
возрастанием концентрации и подвижности электронов. Снижение под-
вижности носителей заряда при температуре выше 900 °C можно объ-
яснить переходом германия, который получался при трансмутационном
переходе захвата галлием нейтрона в подрешетку мышьяка, что влекло
за собой увеличение степени компенсации.
Для контроля партии образцов из первой и второй групп были
подвергнуты обычному отжигу в печи при 870 °C в течение 20 мин.
Из измерений после длительного термического отжига были полу-
чены следующие значения электрофизических параметров: I груп-
па — удельное сопротивление
= 2·10
8
Ом·см, подвижность носителей
заряда
m
— 2800…3500 см
2
/В·с; II группа — удельное сопротивление
= 1·10
8
Ом·см,
— 3000…3300 см
2
/В·с. Оптимальные режимы от-
жига для данной марки полуизолирующего арсенида галлия, облучен-
ного нейтронами, и полученные при этом значения параметров таковы
(рис. 1): I группа —
T
a
= 850 °C,
t
= 30 с,
= 2·10
8
Ом·см,
—4000…4200 см
2
/В·с; II группа—
T
a
= 810 °C,
t
= 30 с,
= 1,5·10
8
Ом·см,
— 4900…5000 см
2
/В·с.
Достигнутые значения подвижности электронов после отжига пре-
вышали значения подвижности носителей заряда
(при том же удельном
сопротивлении
) после длительного отжига, что, возможно, связано с
уменьшением концентрации глубоких центров (
EL
3,
EL
6) при термооб-
работке в исследованных интервалах температур. Допустимые отклонения
Рис. 2.
Зависимость подвижности
носителей заряда от времени им-
пульсного отжига образцов
Рис. 1.
Зависимость подвижности
носителей заряда от температуры
импульсного отжига образцов
