2
В.Г. Косушкин, А.К. Горбунов
никовых материалов. В результате радиационного воздействия образу-
ется большое количество радиационных дефектов в материале, которые
формируются под воздействием быстрых нейтронов, атомов отдачи и
-составляющей реакторного излучения. Возникающие радиационные
дефекты обычно удаляют высокотемпературной обработкой материа-
лов. Радиационно-физические процессы, включая механизм образова-
ния и отжига радиационных дефектов в материале, в процессе ядерно-
го легирования описаны в [1–10].
Известно, что любой материал неизбежно содержит некоторое ко-
личество «технологических» примесей, которые могут компенсировать
влияние целевых легирующих примесей, например, изменять однород-
ность электрофизических характеристик материала. Для учета этого
используют так называемый фактор легирования (
f
) — отношение
концентрации целевой вводимой примеси к концентрации электрически
активной примеси в исходном материале, который в случае ядерного ле-
гирования, как определено экспериментально, должен быть больше двух.
Основной задачей настоящей работы было исследование влияния
параметров быстрого отжига на точечную структуру кристаллов арсе-
нида галлия, подвергнутых облучению тепловыми нейтронами ядерно-
го реактора. Ранее установлено, что в большинстве случаев облучение
реакторными нейтронами приводило к увеличению удельного сопро-
тивления широкозонных материалов (кремния, арсенида галлия, фос-
фида индия, фосфида галлия), к уменьшению сопротивления, а иногда
и конверсии типа проводимости в узкозонных (антимониде и арсениде
индия), к снижению подвижности носителей заряда, изменению опти-
ческих свойств полупроводников за счет образовавшихся при облуче-
нии радиационных дефектов. Непосредственно после облучения плот-
ность образовавшихся радиационных дефектов намного превышала
концентрацию вводимой при облучении химической примеси, и свой-
ства облученного материала перед отжигом определялись, в основном,
свойствами введенных при облучении дефектов. Поэтому сокращение
числа радиационных дефектов является одной из важнейших техноло-
гических операций.
Целью работы было установление закономерностей поведения то-
чечных дефектов при быстром градиентном отжиге полупроводниковых
пластин, облученных полным спектром нейтронов реактора.
Быстрый термический отжиг.
Метод быстрого термического от-
жига с помощью галогенных ламп [6] в последнее время широко при-
меняется в различных технологических операциях: при изготовлении
контактов к полупроводникам, отжиге имплантированных слоев, отжиге
тонкопленочных материалов и др. Авторами [6–8] установлена возмож-
ность повышения однородности полупроводниковых материалов путем
импульсного отжига пластин после облучения. Достоинством быстрого
