Способ выращивания кристаллов в условиях управляемого градиента температуры…
7
лельно плоскости (110). Под микрооднородностью в данном случае
подразумевается отсутствие полосчатой структуры в выращенной по
данному способу части (при малых градиентах температуры); в про-
тивоположность этому наличие полос в затравочной части кристалла,
выращенной по методу Чохральского (при больших радиальных тем-
пературных градиентах), очевидно (ширина полос обычно составляет
10…100 мкм).
ЛИТЕРАТУРА
Картавых А.В., Копелиович Э.С., Мильвидский М.Г. Анализ осевых
профилей распределения примеси в монокристаллах Ge(Sb), выра-
щенных методом бестигельной зонной плавки в космосе.
Кристалло-
графия
, 1998, 6, с. 1136–1141.
Strelov V.I., Zakharov B.G., Sidorov V.S. Investigations into growth of
semiconductor crystals with high microhomogeneity of properties under
microgravity simulating conditions.
Journal of Crystal Growth
, 2002,
vol. 241. pp. 74–84.
Стрелов В.И., Захаров Б.Г., Сидоров В.С. Микрооднородность кри-
сталлов, выращенных методом направленной кристаллизации.
Труды
IV Междунар. конф.
«
Рост монокристаллов и тепломассоперенос»
(ICSС-2001)
. Обнинск, 2001,
с. 1050–1058.
Безбах И.Ж., Сидоров В.С., Стрелов В.И. Особенности процессов теп-
ломассопереноса при слабых конвективных течениях.
Труды V Меж-
дунар. конф. «Рост монокристаллов и тепломассоперенос»
(
ICSС-
2003
)
.
Обнинск,
2003, с. 742–749.
Стрелов В.И., Захаров Б.Г., Сидоров В.С. Моделирование процессов
тепломассопереноса при росте кристаллов методом направленной
кристаллизации для земных и космических условий.
Поверхность.
Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
, 2003,
№ 7,
с. 75–80.
Пузырев В.А.
Управление технологическими процессами производ-
ства микроэлектронных приборов
.
Москва, Радио и связь, 1984, 160 с.
Сидоров В.С., Захаров Б.Г., Серебряков Ю.А. Установка для выращи-
вания кристаллов с моделированием условий кристаллизации при
микрогравитации.
Приборы и техника эксперимента
,
1999,
№ 2,
с. 148–152.
Статья поступила в редакцию 28.04.2014
Ссылку на эту статью просим оформлять следующим образом:
Сидоров В.С., Стрелов В.И., Безбах И.Ж., Крицкий О.В., Радченко И.Н.
Способ выращивания кристаллов в условиях управляемого градиента темпера-
туры в расплаве.
Инженерный журнал: наука и инновации
, 2014, вып. 8. URL:
Сидоров Валентин Семенович
родился в 1943 г., окончил Таджикский государ-
ственный университет в 1970 г. Канд. физ.-мат. наук, старший научный сотрудник
ФИК им. А.В. Шубникова РАН НИЦ «Космическое материаловедение». Область
научных интересов: рост кристаллов, физика твердого тела.
