Способ выращивания кристаллов в условиях управляемого градиента температуры…
3
Рис. 1.
Технологические параметры роста кристаллов при постоянном (
а
)
и регулируемом по определенному закону (
б
) градиенте температуры на
образце:
Т
ВБН
— температура верхнего большого нагревателя;
Т
НН
— температура нижнего
нагревателя;
Т
НК
,
Т
НКР
— температура по оси (центру) над кристаллом и радиальная
соответственно;
Т
ПК
— температура под кристаллом;
1
— начало плавления;
2
— нача-
ло роста;
3
,
4
— включение и выключение вибратора соответственно;
5
— начало
ускоренного охлаждения
Однако при проведении экспериментов было установлено, что,
поддерживая постоянным осевой градиент между температурами
Т
НК
и
Т
ПК
над и под кристаллом соответственно, не обеспечивается постоян-
ство осевого градиента
ж ж
T Z
температуры в расплаве, т. е.
ж ж
T Z
изменялся в процессе кристаллизации, так как теплота отво-
дилась и через верхний, и через нижний нагреватели (см. рис. 1,
а
). Это,
в свою очередь, приводит к изменению скорости кристаллизации. Сна-
чала скорость кристаллизации была минимальна, затем она возрастала,
достигая своего максимального значения в конце процесса роста.
Для поддержания постоянной скорости кристаллизации были раз-
работаны алгоритм и программа, обеспечивающие управление процес-
