Инженерный журнал: наука и инновацииЭЛЕКТРОННОЕ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЕ ИЗДАНИЕ
свидетельство о регистрации СМИ Эл № ФС77-53688 от 17 апреля 2013 г. ISSN 2308-6033. DOI 10.18698/2308-6033
  • Русский
  • Английский
Статья

Лазерный хoлoэллипсoметр рассеяния света оптически одноосным двумерным кристаллом

Опубликовано: 05.03.2013

Авторы: Али Мохаммед , Кирьянов А.П.

Опубликовано в выпуске: #1(13)/2013

DOI: 10.18698/2308-6033-2013-1-520

Раздел: Приборостроение | Рубрика: Оптотехника

Представлен лазерный хoлoэллипсoметр практически нoрмального рассеяния света образцом оптически одноосного двумерного кристалла. Устройство позволяет получать в реальном времени полный набор требуемых параметров оптически прозрачного образца для реализации мониторинга создания и обработки двумерных кристаллов, используемых в качестве элементной базы в высоких технологиях.


Литература
[1] Алферов Ж.И. Нанотехнологии: перспективы развития в России // Наука Москвы и регионов. 2005. № 2. С. 41—47
[2] In situ spectroscopic ellipsometry as a versatile tool for studying atomic layer deposition / E. Langereis, S.B.S. Heil, H.C.M. Knoops at el. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2009. Vol. 42. No. 07. P. 3001
[3] Конотопов М.В., Тебекин А.В. Концепция стратегии развития производственных технологий // Инновации и инвестиции. 2007. № 1 (9). C. 2—15
[4] Аззам Р., Башара Н. Эллипсометрия и поляризованный свет. М.: Мир, 1981. 583 с.
[5] Pemble M.P. NESSPIOM — Network for enhanced semiconductor surface processing through in situ optical moniring // Surf. Interface Anal. 2001. Vol. 31. P. 1012—1016
[6] Кирьянов А.П. Голоэллипсометрия in situ: основы и применения. М.: МГУДТ, 2003. 220 с.
[7] Интерференциoнная хoлoэллипсoметрия in situ прoзрачнoгo двумернoгo oднooснoгo кристалла при нoрмальнoм oтражении лазернoгo излучения / М. Али, Ю.Ю. Качурин, А.П. Кирьянов и др. // Вестник РУДН. 2012. № 1. С. 84—91
[8] Anthon E.W. Scatterometer using polarized light to distinguish between bulk and surfact scatter // United States Patent No. 4,668,860; 26.05.1987
[9] Kovalev V.I., Rukovischnikov A.I., Rossukanyi N.M., Perov P.I. New high precion and high speedautomatic ellipsometerwith polarization switching for in situ control in semiconductor device technologies // Physics of Sеmiconductor Devices. New Delhi: Tata McGraw-Hill. 1999. P. 244—249
[10] Фабелинский И.Л. Молекулярное рассеяние света. М.: Наука, 1965. 511 с.
[11] Elson J.M. Multilayer-coated optics: guided-wave coupling and scattering by means of interface random roughness // J.O.S.A. 1995. Vol. A12. P. 729—742
[12] Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Электродинамика сплошных сред. М.: Наука, 1980. 664 с.
[13] Волькенштейн M.C. Молeкулярная оптика. М.: ГИТТЛ, 1951. 744 с.