Конструкторско-технологическое проектирование микроэлектронных нелинейных преобразователей СВЧ радиосигналов на основе многослойных полупроводниковых наноразмерных резонансно-туннельных гетероструктур
Опубликовано: 15.10.2013
Авторы: Мешков С.А.
Опубликовано в выпуске: #6(18)/2013
DOI: 10.18698/2308-6033-2013-6-800
Раздел: Наноинженерия
Нелинейные преобразователи радиосигналов являются ключевыми элементами радиотехнических систем. Перспективным направлением повышения качества нелинейных преобразователей радиосигналов является использование нелинейных элементов, функционирующих на основе квантоворазмерных принципов токопе-реноса. Решается задача обеспечения надежности нелинейных преобразователей радиосигналов СВЧ устройств на основе наноразмерных многослойных полупроводниковых резонансно-туннельных гетероструктур. Рассматривается надежность индивидуальная и в партии изделий. Задача решается на примере смесителя радиосигналов на базе резонансно-туннельного диода. Использование описанной методологии проектирования позволит повысить надежность и серийнопригодность нелинейных преобразователей СВЧ радиосигналов.
Литература
[1] Вьюгинов В.Н., Гудков А.Г., Добров В.А., Мешков С.А., Попов В.В. Гетеро-структурная СВЧ электроника в России. Электромагнитные волны и электронные системы, 2012, № 1, с. 4-9
[2] Иванов Ю.А., Мешков С.А., Федоркова Н.В., Федоренко И.А. Улучшение параметров приемника СВЧ-диапазона применением резонансно-туннельного нанодиода в преобразователе частоты. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана, Сер. Приборостроение, 2010, спец. выпуск "Наноинженерия". Москва, Изд. МГТУ им. Н.Э. Баумана, с. 128-137
[3] Иванов Ю.А., Мешков С.А., Шашурин В.Д., Федоркова Н.В., Федоренко И.А. Субгармонический смеситель с улучшенными интермодуляционными характеристиками на базе резонансно-туннельного диода. Радиотехника и электроника, 2010, т. 55, № 8, с. 982-988
[4] Иванов Ю.А., Мешков С.А., Федоркова Н.В., Федоров И.Б., Шашурин В.Д., Синякин В.Ю. Повышение показателей качества радиоэлектронных систем нового поколения за счет применения резонансно-туннельных нанодиодов. Часть 1. Наноинженерия, 2011, № 1, с. 34-44
[5] Иванов Ю.А., Мешков С.А., Федоркова Н.В., Федоров И.Б., Шашурин В.Д., Синякин В.Ю. Повышение показателей качества радиоэлектронных систем нового поколения за счет применения резонансно-туннельных нанодиодов. Часть 2. Наноинженерия, 2011, № 1, с. 34-44
[6] Федоренко И.А., Федоркова Н.В., Шашурин В.Д., Иванов Ю.А. Спектральные характеристики субгармонического смесителя радиосигналов на основе резонансно-туннельного диода. Международная Крымская конференция "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии" (КрыМиКо’2011, 12-16 сентября 2011 г., Севастополь, Украина). Тезисы докладов, с. 181-182
[7] Иванов Ю.А., Мешков С.А., Шашурин В.Д., Федоркова Н.В. Улучшение параметров смесителей радиосигналов за счет применения резонансно-туннельных диодов. Техника и приборы СВЧ, 2011, № 2, с. 18-25
[8] Мешков С. А. и др. Перспективы разработки нелинейных преобразователей радиосигналов на базе резонансно-туннельных нанодиодов. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. Приборостроение, 2012, № 4 (89), с. 100-113
[9] Иванов Ю.А., Мешков С.А., Макеев М.О., Федоркова Н.В. Исследование термической деградации AuGeNi омических контактов резонансно-туннельных диодов на базе наноразмерных AlAs/GaAs гетероструктур. Электронное научно-техническое издание "Наука и образование", 2012, № 9. Эл № ФС 77-48211. Государственная регистрация № 0421200025. ISSN 1994-0408
[10] Иванов Ю.А., Мешков С.А., Макеев М.О. Исследование деградационных явлений в наноразмерных AlAs/GaAs гетероструктурах методом ИК-спектроэллипсометрии. Наноинженерия, 2011, № 4, с. 44-48
[11] Бушминский И.П., Гудков А.Г., Дергачев В.Ф. и др. Конструкторско-технологические основы проектирования полосковых микросхем. Бушминский И.П., ред. Москва, Радио и связь, 1987, 272 с.
[12] Гудков А.Г., Леушин В.Ю., Мешков С.А. Обеспечение показателей качества микросхем СВЧ методом вероятностного моделирования. 17-я Международная Крымская конференция "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии": материалы конференции. Севастополь, 10-14 сентября 2007 г.
[13] Гудков А.Г. Комплексная технологическая оптимизация СВЧ устройств. 17-я Международная Крымская конференция "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии": материалы конференции. Севастополь, 10-14 сентября 2007 г.
[14] Гудков А.Г. Радиоаппаратура в условиях рынка. Комплексная технологическая оптимизация. Москва, "САЙНС-ПРЕСС", 2008, 336 с.
[15] Гудков А.Г., Ветрова Н.А., Хныкина С.В., Горлачева Е.Н. Прогнозирование качества и надежности ИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 7. Стоимостные характеристики при проектировании и производстве электронных изделий. Машиностроитель, 2008, № 5, с. 44-51
[16] Гудков А.Г., Ветрова Н.А., Хныкина С.В., Горлачева Е.Н. Прогнозирование качества и надежности ИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 8. Неопределенности технологической оптимизации. Машиностроитель, 2008, № 8, с. 10-13
[17] Гудков А.Г., Ветрова Н.А., Хныкина С.В., Горлачева Е.Н. Прогнозирование качества и надежности ИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 9. Комплексная технологическая оптимизация как фактор повышения эффективности проектирования электронных изделий. Машиностроитель, 2008, № 9, с. 16-20
[18] Мешков С.А., Хныкина С.В. Выбор информативных параметров для оценки деградации гетероструктуры резонансно-туннельного нанодиода и смесителя на его основе. Информационно-измерительные и управляющие системы, 2007, т. 5, № 1, с. 43-53
[19] Ермолаев Ю.П., Ермолаев А.Ю. Метод оценки вероятности функционирования РЭА. Устройства, элементы и методы комплексной микроминиатюризации РЭА. Межвуз. сб. Казань, КАИ, 1984, с. 34-41
[20] Проников А.С. Параметрическая надежность машин. Москва, Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2002, 560 с.
[21] Гудков А.Г., Мешков С.А., Хныкина С.В. Оптимальное проектирование гетероструктуры для смесителей радиосигналов на основе РТД. Успехи современной радиоэлектроники, 2010, № 1, с. 20-26
[22] Гудков А.Г., Мешков С.А., Агасиева С.В. Оптимальное проектирование гетероструктуры для смесителей радиосигналов на основе резонансно-туннельных диодов. Биомедицинская радиоэлектроника, 2010, № 10, с. 61-67