К вопросу о надежности радиоэлектронных средств на наноприборах
Авторы: Ветрова Н.А., Скороходов Е.А., Шашурин В.Д.
Опубликовано в выпуске: #6(18)/2013
DOI: 10.18698/2308-6033-2013-6-799
Раздел: Наноинженерия
Устройства наногетероструктурной электроники позволяют получить совершенно новые, ранее недостижимые свойства РЭС. Принцип работы таких устройств основан на квантоворазмерных эффектах в наноразмерных слоях составляющих их полупроводниковых гетероструктур. Одна из основных проблем, сдерживающих широкое применение указанных изделий в различных радиоэлектронных системах, состоит в недостаточном уровне их надежности (гамма-процентная наработка, согласно опубликованным данным, составляет "четыре девятки" 3-4 года). Это недостаточно для РЭС, используемых в тех областях приборостроения, где цена отказа чрезвычайно велика. Так, для авиационного приборостроения необходимы приемные и передающие устройства с гамма-процентной наработкой в два раза большей, для космической отрасли - в три-четыре раза. В связи с чем, актуальным и важным является вопрос обеспечения надежности таких приборов. Авторами разработана математическая модель и алгоритм проведения конструкторско-технологической оптимизации радиоэлектронных средств нового поколения на базе приборов, функционирующих на квантоворазмерных эффектах в их полупроводниковых гетероструктурах, по критерию их надежности. Показано, что выбор рациональных конструкторско-технологических решений позволяет обеспечить заданный уровень надежности этих изделий.
Литература
[1] Иванов Ю.А., Мешков С.А., Синякин В.Ю., Федоркова Н.В., Федоров И.Б., Шашурин В.Д., Федоренко И.А. Повышение показателей качества радиоэлектронных систем нового поколения за счет применения резонансно-туннельных нанодиодов. Наноинженения в приборостроении, 2011, № 1, с. 34-43
[2] Иванов Ю.А., Мешков С.А., Синякин В.Ю., Федоренко И.А., Федоркова Н.В., Федоров И.Б., Шашурин В. Д. Повышение показателей качества радиоэлектронных систем нового поколения за счет применения резонансно-туннельных нанодиодов (продолжение). Наноинженения в приборостроении, 2011, № 2, с. 20-22
[3] Ветрова Н.А., Хныкина С.В., Шашурин В.Д. К вопросу о прогнозировании качества смесителей радиосигналов на основе РТД на этапе их сборки. Сборка в машиностроении, приборостроении, 2010, № 4, с. 30-37
[4] Ветрова Н.А., Иванов Ю.А., Шашурин В.Д. Исследования закономерностей формирования постепенных отказов СВЧ смесителей радиосигналов нового поколения на резонансно-туннельных нанодиодах. Наноинженерия, 2012, № 1, с. 32-36
[5] Гудков А.Г. Разработка принципов и методов комплексной технологической оптимизациирадоэлектронных средств для различных этапов их жизненного цикла. Дис. ... докт. техн. наук. Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2005, 332 с.
[6] Ермолаев Ю.П., Насыров И.К., Застела М.Ю., Пьянков Б.Л. Оценка показателей качества на этапах проектирования и производства электронных устройств в условиях применения высоких технологий. Казань, Новое знание, 2006, 96 с.