Представлены результаты исследования процесса формирования многослойных структур на основе опаловых пленок на сканирующем зондовом микроскопе Solver P-47 посредством атомно-силовой и туннельной микроскопии и токовой спектроскопии. Показано, что методы туннельной микроскопии пригодны для исследования слоистых структур хром - опал - золото - углерод. Приведены изображения поверхности и вольт-амперные характеристики, полученные по мере формирования структур по слоям. Установлено, что формирование пленочных структур на поверхности опаловых матриц начинается с формирования "островков" на вершинах сфер диоксида кремния. Выявлено, что нанесение углеродных пленок на поверхность структуры хром - опал - золото приводит к увеличению туннельных токов в зазоре зонд - образец. Представленные результаты могут быть использованы при разработке технологии формирования разнообразных слоистых структур на поверхности опаловых матриц, в частности, в производстве устройств фотоники, сенсорики и эмиссионных устройств.