В слое твердотельной структуры с плоскопараллельным строением распространение потоков энергии в равновесии и при его нарушении осуществляется дифференциальными потоками носителей заряда, фотонов, фононов и квазичастиц других видов. Совместное распространение указанных потоков отвечает специфичным закономерностям, обусловленным механизмами их рассеяния. В уравнениях распространения потоков и граничных условиях к ним необходимо учитывать последствия рассеяния и роль порождаемых потоков. Учет рассеяния потоков не только в толще слоя, но и на его границах, особенно в тонких слоях, оказывает существенное влияние на понимание того, как распространяются потоки квазичастиц и дифференциальные и интегральные потоки энергии.

В приближении времени релаксации краевые задачи о распространении дифференциальных потоков квазичастиц с учетом рассеяния потоков на границах слоя имеют одинаковый вид. В силу этого общие выводы, полученные ранее для потоков носителей заряда, справедливы и для потоков фотонов и фононов. В частности, потоки суперлинейно зависят от вероятностей их рассеяния на границах тонкого слоя, а также от отношения толщины слоя к характеристической длине свободного пробега. Выходящие из слоя потоки имеют такую же зависимость от указанных характеристик границ и безразмерного параметра толщины слоя. Чем меньше параметр толщины слоя, тем сильнее проявляется суперлинейная зависимость всех дифференциальных и интегральных потоков. При этом вследствие обмена дифференциальными потоками влияние соседних слоев на рассматриваемый оказывается более существенным.