Распределение неосновных носителей заряда после их диффузии от тонкого планарного источника в полубесконечном полупроводниковом материале с дефектами на поверхности
Опубликовано: 09.12.2014
Авторы: Калманович В.В., Степович М.А., Серегина Е.В., Горбунов А.К.
Опубликовано в выпуске: #1(37)/2015
DOI: 10.18698/2308-6033-2015-1-1349
Раздел: Математическое моделирование | Рубрика: Моделирование в науке о материалах
Методами математического моделирования рассмотрена задача диффузии неосновных носителей заряда (ННЗ), генерированных в полупроводнике широким электронным пучком. Изучено влияние дефектов на поверхности полупроводника на распределение ННЗ после их диффузии от тонкого планарного источника в полубесконечном полупроводнике [1]. Расчеты проведены для различных материалов полупроводниковой электроники.
Литература
[1] Михеев Н.Н., Никоноров И.М., Петров В.И., Степович М.А. Определение электрофизических параметров полупроводников в растровом электронном микроскопе методами наведенного тока и катодолюминесценции. Известия АН СССР. Серия физическая, 1990, т. 54, № 2, с. 274-280.
[2] Белов А.А., Петров В.И., Степович М.А. Использование модели независимых источников для расчета распределения неосновных носителей заряда, генерированных в полупроводниковом материале электронным пучком. Известия АН. Серия физическая, 2002, т. 66, № 9, с. 1317-1322.
[3] Степович М.А. Оценка точности расчета распределений неосновных носителей заряда, генерированных в полупроводниковом материале электронным пучком. Известия РАН. Серия физическая, 2003, т. 67, № 4, с. 588-592.
[4] Степович М.А., Снопова М.Г., Хохлов А.Г. Использование модели независимых источников для расчета распределения неосновных носителей заряда, генерированных в двухслойном полупроводнике электронным пучком. Прикладная физика, 2004, № 3, с. 61-65.
[5] Khokhlov A.G., Snopova M.G., Stepovich M.A. Simulation of the Distribution of Minority Carriers, Generated in a Two-Layer Semiconductor Structure by a Wide Electron Beam. Crystallography Reports, 2004, vol. 49, suppl. 1, рр. S114-S117.
[6] Stepovich M.A., Khokhlov A.G., Snopova M.G. Model of Independent Sources Used for Calculation of Distribution of Minority Charge Carriers Generated in Two-Layer Semiconductor by Electron Beam. Proc. SPIE, 2004, vol. 5398, рр. 159-165.
[7] Burylova I.V., Petrov V.I., Snopova M.G., Stepovich M.A. Mathematical Simulation of Distribution of Minority Charge Carriers, Generated in Multy-Layer Semiconducting Structure by a Wide Electron Beam. Физика и техника полупроводников, 2007, т. 41, вып. 4, с. 458-461.
[8] Снопова М.Г., Бурылова И.В., Петров В.И., Степович М.А. Анализ модели распределений неосновных носителей заряда, генерированных в трехслойной полупроводниковой структуре широким электронным пучком. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2007, № 7, с. 1-6.
[9] Михеев Н.Н., Петров В.И., Степович М.А. Количественный анализ материалов полупроводниковой оптоэлектроники методами растровой электронной микроскопии. Известия АН СССР. Серия физическая, 1991, т. 55, № 8, с. 1474-1482.
[10] Hsu J.W.P. Near-Field Scanning Optical Microscopy Studies of Electronic and Photonic Materials and Devices. Materials Science and Engineering, 2001, vol. 33, рр. 1-50.
[11] Xu Q., Gray M.H., Hsu J.W.P. Resolution and Contrast in Near-Field Photocurrent Imaging of Defects on Semiconductors. Journal of Applied Physics, 82 (2), 1997, pp. 748-755.
[12] Donolato C., Klann H. Computer Simulation of SEM Electron Beam Induced Current Images of Dislocations and Stacking Faults. Journal of Applied Physics, 51 (3), 1980, pp. 1624-1623.
[13] Калманович В.В., Серегина Е.В., Степович М.А. Нахождение распределения неосновных носителей заряда, генерированных электронным пучком в полупроводниковом материале с дефектом на поверхности. Научные труды Калужского государственного университета имени К.Э. Циолковского. Серия Естественные науки, 2014. Калуга, Изд-во КГУ им. К.Э. Циолковского, 2014, с. 39-42.
[14] Калманович В.В., Серегина Е.В., Степович М.А. О влиянии точечного дефекта на поверхности полупроводника на распределение неосновных носителей заряда, генерированных электронным пучком в полупроводниковых материалах. Вестник Калужского университета, 2014, № 1, с. 23-26.