Подготовка исходного сырья для роста слитков мультикристаллического кремния
Опубликовано: 08.10.2014
Авторы: Кутовой И.С., Радченко И.Н.
Опубликовано в выпуске: #7(31)/2014
DOI: 10.18698/2308-6033-2014-7-1263
Раздел: Машиностроение | Рубрика: Материаловедение
Описан один из вариантов процесса очистки кремниевого сырья, сильно легированного мышьяком. Приведены результаты теоретического расчета эффективности предложенного метода, сочетающего процесс высокотемпературного вакуумного отжига с последующей кристаллизационной очисткой при выращивании кристаллов методом Чохральского. Представлена методика использования данного метода при подготовке загрузок для роста слитков мультикристаллического кремния.
Литература
[1] Braga A.F.B., Moreira S.P., Zampieri P.R., Bacchin J.M.G., Mei P.R. New processes for the production of solar-grade polycrystalline silicon: a Review. Solar Energy, Materials and Solar Cells, 2008, vol. 92, pp. 418-424
[2] Tsai T.H. Modified sedimentation system for improving separation of silicon and silicon carbide in recycling of sawing waste. Separation and Purification, Technology, 2011, vol. 78, pp. 16-20
[3] Woditsch P., Koch W. Solar grade silicon feedstock supply for PV industry. Solar Energy Materials and Solar Cells, 2002, vol. 72, pp. 11-26
[4] Esfahani S. Solvent Refining of Metallurgical Grade Silicon Using Iron. Мaster of Applied Science, Materials Science and Engineering University of Toronto, 2010, pp. 45-51
[5] Нашельский А.Я. Производство полупроводниковых материалов. Москва, Металлургия, 2003
[6] Потолоков Н.А., Решетников Н.М., Кутовой И.С., Серов А.В., Журавлев А.В. Промышленное производство мультикристаллического кремния в России: состояние, проблемы, перспективы. Тез. докл. VII Междунар. науч. конф. по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния (6-9.07.2010). Нижний Новгород, Изд-во НГГУ, 2010, с. 70-72