3
К вопросу о надежности радиоэлектронных средств на наноприборах
структуре наноэлемента, и конструкторско-технологических особен-
ностей производства изделия [4]. Особенность этой схемы состоит в
том, что пространство ее «исходов» определяется множеством различ-
ных вариантов построения гетероструктуры, которая обеспечивает за-
данные выходные электрические характеристики изделия в целом.
Формализация структурной схемы в виде математической модели
позволяет исследовать характер изменения показателей надежности
наноприбора в зависимости от интенсивности протекания диффузион-
ных процессов в гетероструктуре. Системно модель объединяет три
расчетных модуля. Модуль 1 предназначен для расчета изменения ха-
рактеристик гетероструктуры наноприбора в зависимости от времени
и температуры эксплуатации изделия в результате протекания диффу-
зионных процессов. Модуль 2 предназначен для моделирования ВАХ
наноэлементов, имеющих в своем составе полупроводниковые гетеро-
стуктуры с различным составом слоев (GaAs, AlGaAs и др.). Модуль 3
предназначен для оценивания изменения электрических параметров
наноприбора в зависимости от дрейфа ВАХ наноэлемента.
Так, например, проведенный расчет деградационных процессов в
гетероструктуре РТД в программном пакете DiRL, расчет ВАХ РТД в
программном продукте VARMA, расчет выходных электрических па-
раметров смесителя радиосигналов с учетом технологических погреш-
ностей в Microwave Office позволили определить характеристики РТС,
изменение которых оказывает доминирующее влияние на дрейф ВАХ
РТД и, как следствие, на значения выходных электрических параметров
смесителя радиосигналов [4].
Таким образом, установлено, что возможность повышения надеж-
ности См РТД СВЧ лежит в оптимизации характеристик наноэлемента
и выборе технологической операции формирования его гетероструктуры.
Структуру математической модели конструкторско-технологиче-
ской оптимизации определяет задача максимизации гамма-процентной
наработки партии наноприборов при заданных конструкторских до-
пусках на их выходные параметры и технологических погрешностях на
элементную базу наноприборов, исходя из вариантности построения
гетероструктуры и технологии ее формирования:
, ,
,
,
,
,
,
,
max
,
,
const,
,
k
k
Y
Y Y
T
Ã Ï Ïä Ã Ï Ïä
Ã Ï Ïä
(1)
где
, ,
,
,
,
,
k
Y
T
Ã Ï Ïä Ã Ï Ïä
— гамма-процентная наработка до от-
каза (целевая функция); ,
Ï Ïä
— векторы параметров конструкции
(пассивных элементов и подложки соответственно) наноприбора;
