3
Квантовые объекты нанотехнологий: свойства, применения, перспективы
В качестве примера на рис. 1 приведены квантовые точки PbSe,
выращенные с помощью этого метода на подложке PbTe
.
При росте
первого мономолекулярного слоя PbSe на подложке PbTe, из-за разли-
чия постоянных решетки этих кристаллов, в растущем слое возникают
упругие напряжения. При дальнейшем осаждении молекул PbSe эти
напряжения увеличиваются, так что энергетически выгодным стано-
вится не равномерный рост осаждаемого вещества по всей поверхности
подложки, а образование отдельных наноостровков PbSe на поверх-
ности PbTe. Вновь поступающие из источника молекулы PbSe осажда-
ются на данных островках, образуя в итоге кристаллические структу-
ры — квантовые точки — в виде пирамидок (см. рис. 1). Аналогичным
образом, в виде пирамидок, осуществляется рост квантовых точек InAs/
GaAs, Ge/Si и др. Более детальный вид квантовой точки Ge/Si, полу-
ченный с атомным разрешением с помощью электронного сканирую-
щего микроскопа, приведен на рис. 2.
Рис. 1.
Квантовые точки PbSe на подложке PbTe
[7]
Рис. 2.
Германиевая квантовая точка на
кремниевой подложке [8]
