Рис. 2. Интенсивность вихревого слоя при обтекании эллиптического
(
a
1
/
b
1
= 5
)
профиля, рассчитанная НМВЭ (
а
)
и КМВЭ (
б
)
в сравнении с точным
решением
Рис. 3. Интенсивность вихревого слоя при обтекании кругового профиля, рас-
считанная НМВЭ (
а
)
и КМВЭ (
б
)
в сравнении с точным решением.
рованный вихрь единичной интенсивности расположен на расстоянии
d
3
= 0
,
01
от границы профиля,
θ
1
=
π/
3
и
N
= 50
.
В таблице для этого же случая приведены значения числа обусло-
вленности матриц и погрешности численных решений при различной
дискретизации профиля. Значения
Cond
A
в рассматриваемых методах
совпадают; норма погрешности
k
Δ
k
l
1
в обоих случаях уменьшается,
но в КМВЭ она существенно меньше, чем в НМВЭ.
Таблица
Расчет обтекания кругового профиля при наличии во внешнем течении
изолированного точечного вихря
N
50
200
500
НМВЭ КМВЭ HМВЭ KМВЭ HМВЭ KМВЭ
Cond
A
14
,
1
14
,
1
31
,
8
31
,
8
79
,
6
79
,
6
k
Δ
k
l
1
2
,
98
0
,
17
0
,
67
0
,
12
0
,
34
0
,
01
114
ISSN 1812-3368. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Естественные науки”. 2012