ISSN 0236-3941. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Машиностроение”. 2012
135
Для изучения нанорельефа поверхности тонких пленок использо-
вались сверхвысоковакуумный сканирующий зондовый микроскоп
JEOL JSPM 4610 и зондовый микроскоп NtegraSpectra. Анализ прово-
дился для различных расстояний между мишенью и подложкой. Ска-
нировался участок поверхности образца 5 × 5 мкм зондовым методом,
в результате чего фиксировалась шероховатость. Средние значения
шероховатости пленок составляют около 2 нм при толщине осажден-
ного слоя 100 нм. Выявлено снижение шероховатости поверхности
осажденного слоя с увеличением расстояния между мишенью и под-
ложкой. Так, расстоянию
Н
= 15 мм соответствует средняя шерохова-
тость 2 нм, а расстоянию
Н
= 50 мм — средняя шероховатость 18 нм
(
рис. 6). Возможным объяснением такого эффекта является уменьше-
ние средней энергии осаждаемых на подложку частиц теллурида вис-
мута с увеличением пути пролета осаждаемых частиц, вследствие чего
снижается число и размеры образуемых ими кластеров.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1.
Гольцман Б.М., Кудинов В.А. , Смирнов И.А. Полупроводниковые
термоэлектрические материалы на основе теллурида висмута. — М.: Наука,
1972.
2.
Осаждение тонких пленок Bi
2
Te
3
и Sb
2
Te
3
методом импульсной лазерной
абляции / И.С. Вирт и др. // Физика и техника полупроводников. 2010. Т. 44.
Статья поступила в редакцию 11.09.2012
Рис. 6. Шероховатость поверхно-
сти пленки теллурида висмута,
осажденной при температуре
нагревателя 400 °С и при рассто-
янии между мишенью и подлож-
кой 15 мм