ISSN 0236-3941. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Машиностроение”. 2012
133
пользовались таблетки из прессованного порошка теллурида висму-
та. Эксперименты проводились в высоком вакууме (10
–8
торр) при
различных энергиях лазерного излучения и температурах подложки.
Морфологические исследования поверхности осажденных пленок
теллурида висмута осуществлялись на сверхвысоковакуумном моду-
ле с колонной фокусированных ионных пучков (рис. 2,
б
).
Особенно-
сти состояния поверхностного слоя осажденных пленок зависят от
толщины осажденного материала [1]. Поэтому начальными измере-
ниями служили измерения толщины осажденного слоя при различ-
ных температурно-энергетических параметрах процесса осаждения.
Толщина осажденного слоя (рис. 3) измерялась в оптическом и
электронно-оптическом режиме в торце свежего скола. Скол выпол-
нялся перпендикулярно поверхности осажденного слоя приблизи-
тельно посередине полученного образца. Осуществлялось опреде-
ленное число измерений, а затем подсчитывалось среднее значение.
а
б
Рис. 3. Толщина пленки теллурида висмута,
осажденной при расстоя-
ниях
H
= 15 (
а
)
и 50 (
б
)
мм, температуре нагревателя
Т
= 20 °С (×4 000)
По полученным данным была построена зависимость толщины
осажденного слоя от температуры нагревателя при постоянной энер-
гетике лазерного излучения на различных расстояниях между мише-
нью и подложкой (рис. 4). Зависимость имеет экстремальный харак-
тер с пиком для двух случаев положения подложки при температуре
нагревателя 400 °С. Дальнейшее уменьшение толщины осажденного
слоя можно объяснить усилением эффекта термического испарения
атомов теллурида висмута с нагретой подложки.
Внешний вид поверхности пленок, осажденных при различных
температурах, приведен на рис. 5. Значение температуры нагревателя
варьировалось в пределах 20…800 °С. Стрелками показаны участки с
нарушенным стехиометрическим составом. Отмечено уменьшение
частоты образования дефектных участков с увеличением расстояния
между подложкой и мишенью.