Рис. 7. Спектральное распределение энергии излучения лампы в составе си-
стемы накачки. Кривые
1
–
4
соответствуют номерам вариантов параметров си-
стемы накачки, приведенным в таблице
системы). В основном возврат излучения происходит в областях вне
полос поглощения приемника (активной среды). В коротковолновой
области кварц и активная среда имеют высокий коэффициент погло-
щения и здесь
ψ
ν
≈
0.
То же имеет место для кварца в инфракрасной
области. Чем прозрачнее материалы системы накачки и выше коэффи-
циент отражения отражателя, тем больше значение
ψ
ν
,
т.е. тем лучше
условия возврата излучения в разряд. Отметим, что с точки зрения эф-
фективности системы накачки высокие значения коэффициента
ψ
ν
в
области полос поглощения АИГ:Nd свидетельствуют о неблагоприят-
ной ситуации (низкое качество системы накачки). В то же время дан-
ный факт положителен для остальных (непроизводительных) областей
спектра.
На рис. 6 видно, что возврат излучения в разряд заметно изменяет
профиль и уровень температур. В результате происходит трансформа-
ция спектра в коротковолновую сторону (см. рис. 7): в области около
200
. . .
400
нм энергия, теряемая разрядом, возрастает почти в 2 ра-
за, несколько меньше увеличивается излучение в полосах поглощения
неодима. Следует отметить, что при этом повышаются энергетические
потери на оболочке, т.е. соответствует известному из экспериментов
факту снижения предельной энергии ламп в составе систем. На рис. 8
130
ISSN 0236-3933. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Приборостроение”. 2012
