Рис. 7. Гистограмма распределения значений площадей дефектов при образо-
вании сверхпроводящих кластеров
симальной длиной 20 пикселей) образование сверхпроводящего кла-
стера произошло в 14,7% случаев.
По полученной в ходе эксперимента статистической выборке ре-
зультатов моделирования можно определить допустимые показатели
распределения кристаллических дефектов, при которых гарантирует-
ся обязательное существование сверхпроводящего кластера в ВТСП.
Обработка полученных результатов представлена далее.
На рис. 7 приведена гистограмма значений площадей дефектов при
образовании сверхпроводящих кластеров.
Высота каждого столбца отображает число случаев возникновения
сверхпроводящего кластера при значении общей площади дефектов
в данном интервале. Площадь дефектов рассматривается как отно-
сительная, в процентах от общей площади моделируемого участка.
Максимальная общая площадь дефектов, при которой возникал сверх-
проводящий кластер, составила 80% общей площади модели. В сред-
нем при возникновении сверхпроводящего кластера площадь дефектов
равнялась 40% общей площади. Очевидно, что малое число площадей
дефектов превалирует над большим.
На рис. 8 приведена зависимость образования сверхпроводящего
кластера от горизонтальных и вертикальных дефектов.
По оси абсцисс отложено относительное число (
N
)
вертикальных
и горизонтальных дефектов от их максимального значения. Макси-
мальное число горизонтальных дефектов составило
N
гор
= 270 849
,
вертикальных
N
верт
= 367 642
.
Рассмотрим график. Например, сверх-
проводящий кластер образовался 5000 раз при данном значении пара-
метров. Из графика следует, что число горизонтальных дефектов вли-
яет на образование кластера существеннее, чем число вертикальных.
Значит, в качественном ВТСП материале горизонтальных дефектов
должно быть как можно меньше.
212
ISSN 0236-3941. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Машиностроение”. 2012