Рис. 1. Микрофотография текстурированной ВТСП-керамики
являются “хорошими”. Это означает, что они прямолинейны, почти не
содержат примесей и дефектов и, таким образом, весьма близки к иде-
альной границе между двумя повернутыми относительно друг друга
совершенными кристаллами. На рис. 2 показаны возможные вариан-
ты разориентации соседних кристаллов, что приводит к ухудшению
межгранульных границ. Соответствующий угол поворота
Θ
называют
углом разориентации кристаллов (см. рис. 2).
Таким образом, в ВТСП-керамике наблюдается ряд межкристал-
литных дефектов, которые имеют особенности, отсутствующие у
обычных, не текстурированных керамик. К таким дефектам можно
отнести дислокации, т.е. дефекты кристалла, представляющие собой
линии, вдоль и вблизи которых нарушено характерное для кристалла
правильное расположение атомных плоскостей, и разориентирован-
ные межгранульные плоскости. Причем дефекты могут иметь разную
длину и разный угол разориентации.
Для исследования механизма влияния структурных дефектов на на-
личие сверхпроводимости в ВТСП материалах предлагается исполь-
зовать метод компьютерного моделирования.
Компьютерное моделирование качества ВТСП-керамик проводится
в целях получения данных о допустимых параметрах распределения
кристаллических дефектов, при которых гарантируется критический
Рис. 2. Виды межкристаллитных дефектов
208
ISSN 0236-3941. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Машиностроение”. 2012