Установка измерения поглощенной дозы радиационного излучения …
7
уменьшена при использовании измерительного тока, близкого к точке
нулевого температурного коэффициента транзисторного сенсора.
Работа выполнена в рамках реализации проектов министерства обра-
зования и науки РФ, а также при финансовой поддержке РФФИ и админи-
страции Калужской области (грант № 12-02-97533).
ЛИТЕРАТУРА
[1] Перевертайло В.Л. Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирую-
щего излучения на основе МОП–транзисторов.
Технология конструирова-
ния в электронной аппаратуре
, 2010, №5, с. 22–29.
[2] Андреев B.В., Бондаренко Г.Г., Лычагин А.А., Столяров А.А., Ульяненко С.Е.
Радиационная ионизация в структурах металл
—
диэлектрик
—
полупро-
водник в режиме сильнополевой инжекции электронов.
Физика и химия об-
работки материалов
, 2006, № 6, с. 19–23.
[3] Andreev V.V., Bondarenko G.G., Mihal’kov A.M., Stolyarov A.A., Solov’ev I.V.
Improvement of Injection and Radiation Stability of Nanosize Dielectric Films of
MOS Devices.
Inorganic Materials: Applied Research
, 2011, vol. 2, no. 5,
pp. 425–427.
[4] Андреев B.В., Столяров А.А., Васютин М.С., Михальков А.М. Активный
чувствительный элемент сенсора радиационных излучений на основе
МДП-структур с наноразмерными диэлектрическими слоями.
Вестник
МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. Приборостроение,
2010, с. 118–127.
[5] Holmes-Siedle A. The Space-Charge Dosimeter: general principles of a new method
of radiation detection.
Nucl. Inst. And Meth
., 1974, vol.121, pp. 169–179.
[6] Holmes-Siedle A., Adams L.
Handbook of Radiation Effects
. Oxford, Oxford
University Press, 2002, 644 p.
[7] Тице У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника. Москва, ДМК Пресс,
2008, 832 с.
[8] Mitchell J.P. Radiation-Induced Space-Charge Buildup in MOS Structures.
IEEE Transactions on Electron Devices
, 1967, no. 11, pp. 764–774.
Статья поступила в редакцию 18.12.2013
Ссылку на эту статью просим оформлять следующим образом:
Андреев В.В., Столяров А.А., Соловьев И.В. Установка измерения
поглощенной дозы радиационного излучения на основе транзисторных
сенсоров со структурой металл
—
диэлектрик
—
полупроводник.
Инженерный
журнал: наука и инновации
, 2014, вып. № 1.
URL:
Андреев Владимир Викторович
родился в 1963 г., окончил МВТУ им. Н.Э. Баума-
на в 1988 г. Д-р техн. наук, профессор, заместитель заведующего кафедрой "Кон-
струирование и производство электронной аппаратуры" МГТУ им. Н.Э. Баумана,
Калужский филиал. Автор более 160 научных публикаций. Область деятельности и
научные интересы: приборостроение, микро- и наноэлектроника, физика конденсиро-
ванного состояния, методы контроля. e-mail:
.
Столяров Александр Алексеевич
родился в 1956 г., окончил МВТУ им. Н.Э. Баумана
в 1979 г. Д-р техн. наук, профессор, заместитель директора по научной работе Калуж-
ского филиала МГТУ им. Н.Э. Баумана. Область деятельности и научные интересы:
